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科技產業監測(2021年第2期)【新一代半導體材料產業專刊(二)】

湖南省科技信息研究所 www.www.nwusd.com     時間:2021月10月13日   [字體: ]

 
目錄

【監測綜述】

【科技戰略】

國務院印發《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》

《寬禁帶功率半導體“十四五”發展建議書》發布

廣東省培育半導體及集成電路戰略性新興產業集群行動計劃(2021-2025年)》發布

【行業監測】

碳化硅器件市場2025年或將超過25億美元

美國將撥款370億美元加強芯片制造業發展

CASA發布《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范》團體標準

【企業動態】

安森美半導體發布新的650V碳化硅MOSFET器件

Navitas發布新一代氮化鎵功率芯片NV6128

瀚天天成在碳化硅超結關鍵制造工藝方面取得重大突破

湖南三安半導體項目芯片廠房封頂

行業監測

碳化硅器件市場2025年或將超過25億美元

根據Yole Developpement的《功率用SiC:材料、器件和應用--2020年版》報告,SiC器件市場估計將以30%的復合年增長率(CAGR)上升,從2019年的2.25億美元上升到2025年的25億多美元。Yole的化合物半導體與新興基材團隊首席分析師Ezgi Dogmus博士指出:“事實上,在電動車相關應用的推動下,電力電子應用的SiC在未來5年肯定會強勁增長”。

由于新冠疫情的影響,2020年上半年電動汽車/混合動力汽車領域的SiC器件和材料市場增長放緩。盡管如此,SiC的市場前景是積極的。眾多汽車制造商繼續為其下一代車型的逆變器、車載充電器和DC/DC轉換器中的碳化硅分立器件或模塊進行鑒定。作為整個電力電子市場的主要驅動力之一,汽車應用因此有望繼續成為SiC電源領域的主要市場,預計2025年SiC汽車市場將以38%的年均增長率增長,超過15億美元。除了電動汽車的應用,正在大幅增長的充電基礎設施市場對SiC也非常感興趣。事實上,與硅基絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)相比,高功率充電器可以通過提供更緊湊的解決方案,從SiC的更高效率和更高頻率中獲益。Yole認為,這個市場正以90%的復合年增長率從2019年的僅500萬美元增長到2025年的2.25億美元。

(信息來源:中寬聯官網)

美國將撥款370億美元加強芯片制造業發展

2021年2月24日,美國總統拜登簽署了一項行政命令,對包括半導體行業在內的關鍵行業的供應鏈進行一次范圍廣泛的審查。這項行政命令要求立即對稀土元素、電動汽車電池、藥品和半導體四個領域的供應鏈進行為期100天的審查。據悉,芯片短缺迫使一些汽車制造商大幅減產,甚至關閉了在美國和海外的工廠。美國福特汽車公司稱,由于缺乏芯片,公司汽車產量將在今年一季度下降20%以上。通用汽車公司也被迫削減美國、加拿大和墨西哥工廠的產量。

拜登表示,“將指示本屆政府的高級官員與工業領袖們合作,尋找解決半導體短缺問題的辦法,國會已經批準了一項法案,但他們還需要370億美元來確保我們擁有這個能力。”據了解,今年2月初,就有部分美國芯片生產商敦促總統拜登提供大量資金用于支持“半導體制造業”。

(信息來源:半導體行業觀察官微)

CASA發布《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范》團體標準

2020年12月28日,北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)發布一項聯盟標準T/CASA 006-2020《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范》。該項標準由中國科學院微電子研究所牽頭起草,按照CASAS標準制定程序(立項、征求意見稿、委員會草案、發布稿)完成。標準的制定得到了很多CASA標準化委員會正式成員的支持。

隨著碳化硅材料、器件技術的不斷突破與發展,碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiC MOSFET)近年來在新能源、電動汽車等領域應用越來越廣泛,并取得了不錯的示范效果。為了加快推進SiC MOSFET功率器件的產業化發展和規模化應用,迫切需要制定SiC MOSFET功率器件的標準和規范,以指導和促進SiC MOSFET功率器件的性能不斷提升,質量更加可靠,應用更符合實際需求。

T/CASA 006-2020《碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范》主要起草單位有中國科學院微電子研究所、中國電子科技集團公司第五十五研究所、華大半導體有限公司、株洲中車時代電氣股份有限公司等。

(信息來源:第三代半導體產業技術創新戰略聯盟官網)

信息來源:競爭情報研究中心
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